اکنون و بعد از گذشت نیم قرن آدمهای قصه با سفر به دنیای نانو زبان اتمها را فرا گرفتهاند و میدانند چگونه ساخت مواد را اتم به اتم آغاز کنند و با دستکاری و بهبودشان به چیزی که میخواهند دست یابند. زبان اتمها به ما میگوید که نحوه چیدمان و کنارهم قرارگرفتنشان تا چه اندازه بر خواص و ویژگیها و رفتار مولکول و در نهایت مواد تشکیل شده از آنها اثرگذار خواهد بود. فناوری نانو و ابزارهایش امکان رسیدن به مواد، ابزار و سیستمهایی با خواص دلخواه و کارآمدی لازم را برایمان فراهم مینماید. تا آنجا که امروزه در پیرامون ما به هر طرف که روی بگردانیم از غذایی که میخوریم و لباسی که میپوشیم تا دارو و ماشین و کرمهای پوستی که استفاده میکنیم، نانوذرات، نانوکامپوزیت و نانوموادی را میبینیم که از آزمایشگاهها و مراکز تحقیقاتی بیرون آمده و با ما در زندگی روزانه زیست می کنند. البته به هیچوجه نباید تصور کرد که فناوری نانو اختراع قرن حاضر است. بلکه نانو و قوانین حاکم بر آن، هموره جزئی از طبیعت بوده است و حالا ما با الهام از همین طبیعت به کشفی عظیم برای ساخت و پرداخت دنیایمان دست یافتهایم. به طور مثال: سطح برگ لوتوس (یک نوع نیلوفر آبی) از پرزهای بسیار ریزی در مقیاس نانومتر پوشیده شده است. این پرزها که آبگریز نیز میباشند، سبب تجمع ذرات آب به شکل دانه های تسبیح میشوند. وقتی دانهها بهقدر کافی بزرگ و تبدیل به قطره شد، شروع به غلتیدن و سرخوردن از سطح برگ مینماید. گفتنی است که آلودگیها و گرد وغبار نیز درون این قطرهها معلق شده و همراه آب به پایین میغلتند. بنابراین، سطح برگ همواره تمیز خواهد ماند. با تقلید از این پدیده، شیشهها و پارچههایی ساخته شده که «خودتمیزشونده» نام گرفت. بر روی سطح این محصولات همانند برگ نیلوفرآبی، یک لایه نازک نانومتری از دیاکسیدتیتانیم و یا دیاکسیدسیلیسیم کشیده شده که مانع از جذب آب و آلودگیها میگردد.
۲-۷- نانولایهها
نانولایهها موادی هستند که فقط یک بعد آنها کمتر از ۱۰۰ نانومتر است.
در دنیای کنونی تغییرات سطحی به یک فرایند مهم و اساسی تبدیل شده است. نانولایه (لایه نازک) زیر ساختاری است که از نشست لایه های اتمی یک ماده بر روی زیرلایه جامد حاصل می شود. لایه های نازک با ضخامتهای بین چند نانومتر تا میکرومتر دارای خواص متفاوتی از مواد بایک میباشند. این تفاوتها به ویژه در ضخامتهای بسیار کم یا در مراحل اولیه رشد مهم جلوه مینماید و اساسأ به اجزای میکروساختاری و تجمع صورت گرفته در طول تحول نشست اتمهای آزاد از فاز گازی به فاز جامد تحت شرایط تعادل ترمودینامیکی بستگی دارد. در این مورد روشهایی شامل ایجاد لایه های نازک یا پوششها بر روی سطوح، افزایش کارایی یا محافظت سطوح را به دنبال دارد. رسوب یک لایه نازک (نانولایه) برای پوششدهی در اکثر صنایع جایگاه مهمی یافته است. نانولایهها دارای یک ساختار نانوذرهای میباشند که این ساختار یا از توزیع نانوذرات در لایه ایجاد می شود و یا بهوسیله یک فرایند کنترل شده، یک نانوساختار در حین رسوب ایجاد می شود. فیلمهای نانویی لایه نازک، که بر روی سطح یک زیر پایه نشانده میشوند کاربرد عمدتأ الکترونیکی دارند. همانند زیرلایهها، خازنها، قطعات حافظه، آشکارسازهای مادون قرمز و راهنمای موجی نانولولههای کربنی.
در سالهای اخیر، علم لایه های نازک بهعنوان یک رشته تحقیقاتی مهم در سراسر دنیا مطرح شده است. اهمیت پوششها و سنتز مواد جدید در صنایع سبب جهش ناگهانی در تکنولوژی فرآوری لایه های نازک گردیده است. امروزه این پیشرفتها با جهشهای علمی و تکنولوژیکی صنایع ماکروالکترونیکی، اپتیک و نانوتکنولوژی همراه گشته است. عمده پیشرفتهای صورت گرفته در علم لایه های نازک در صنایع ماکروالکترونیک میباشد. البته کارهای روبه رشدی نیز در لایه های نازک اپتیکی، مغناطیسی، الکتروشیمیایی، پوشش های محافظ و تزئینی و کاتالیزورها در حال شکل گرفتن میباشند. بیشتر اکتیویتههای لایه نازک در رشته تحقیقاتی جدیدی تحت عنوان «مهندسی سطح» مطرح میگردد. مهندسی سطح یکی از مهمترین رشته های رشد یافته در سال گذشته بوده است که شامل طراحی و فرآوری لایه های سطحی، فصل مشترکهای داخلی مشخصههای آنها میباشد. مهندسی سطح با توسعه لایه های نازک و مشخصههای سطحی مواد ارتباط مستقیم دارد.
۲-۸- نانولایه هلیم
اگر گاز هلیم در تماس با سطح یک جامد قرار گیرد، در دمای پایین روی سطح چگالیده می شود. اتمهای هلیم به وسیله نیروهایی که ماهیت واندروالس دارند روی سطح نگهداشته میشوند. با محدود کردن مقدار گاز قابل دسترس برای سطح، یک فیلم هلیم تنها به ضخامت یک اتم[۲۴] می تواند تشکیل شود. حرکت اتمهای جذب شده نسبت به سطح توسط نیروهای نگهدارنده محدود شده است واتمها اجازه دارند تنها موازی با سطح حرکت کنند. اگر سطح تخت باشد و هیچ نوسان عرضی در نیروهای جاذبه وجود نداشته باشد، جذب ماده فقط محدود به یک سطح تخت اتفاق میافتد. تحت این شرایط، گاز جذب شده مانند یک سیستم شبه دوبعدی[۲۵] رفتار می کند. این سیستم ویژگیهای قابل بررسی جالبی هم از نظر تجربی و هم از نظر تئوری دارد.
تعدادی از زیرلایههای ممکن برای مطالعات تجربی پیشنهاد شده است [۳۰]. موفقترین آنها ورقههای گرافیت میباشد، که شامل تعداد زیادی صفحههای کریستالی مسطح گرافیت به عرض حدود ۱۰ نانومتر است.
۲-۹- دیاگرام فاز فیلم هلیم-۳
شکل (۲-۱) دیاگرام فاز هلیم-۳ جذب شده روی گرافیت را نشان میدهد [۳۱]. پوشش X اندازهای از چگالی فیلم است.۱ X= مربوط به ساختار یک تک لایه کامل در چگالی۱۰۹*۲٫۴ اتم هلیم در هر مترمربع است. در این چگالی، میانگین فاصله جدایی بین اتمی ۰٫۳۲۷ نانومتر است، که وقتی با میانگین فاصله جدایی بین اتمی در حالت حجمی(۰٫۴۵ نانومتر) مقایسه می شود به عنوان یک نتیجه از حضور زیرلایه، هلیم می تواند بدون استفاده از فشار در دوبعد جامد شود.
در پوشش های کمتر، فازهای سیالی دوبعدی بصورت یک مایع فرمی دوبعدی در دماهای پایین یافت می شود. فاز ثبت شده مربوط به اتمهای هلیم بهدام افتاده بهوسیله پتانسیل دورهای زیر لایه در مقیاس فاصله شبکه زیرلایه است.
در پوشش های بسیار کم، ، تأثیرات نقایص در زیرلایه، لبههای کریستالی، آلودگی و غیره مهم میشوند و بر ویژگیهای فیلم تاًثیرگذار خواهند بود.
در چگالیهای پایین، لایه دوم مانند یک گاز دوبعدی ناکامل رفتار می کند. هنگامیکه بعضی اتمهای لایه سوم حاضر میشوند، لایه دوم جامد می شود. افزایش بیشتر پوشش منجر به یک تغییر تدریجی در ویژگیهای سیستم دوبعدی در مقایسه با یک سیال بالک می شود. فیلمهای چند لایه و تغییر رفتار از سهبعد به دوبعد بخشی از تحقیقات جالب اخیر را تشکیل میدهد.
شکل (۲-۱): دیاگرام فاز فیلم جذب شده روی ورقه گرافیت بر حسب دما [۳۱].
۲-۱۰- مروری بر برخی کارهای انجام شده روی نانو لایه هلیم-III
هلیم-III جذب شده روی زیرلایههایی مانند گرافیت، نمونه تجربی یک سیستم فرمی شبه دوبعدی را تشکیل میدهد. شواهد تجربی نشان میدهد که گرافیت زیرلایهای بسیار یکنواخت است و در ضخامتهای به حد کافی پایین، تاًثیر ساختار زیرلایه در ویژگیهای سیستم دوبعدی بسیار کم است.
در چند دهه اخیر، تلاش های تجربی [۳۲-۳۸] و نظری [۴۰-۴۴] پیوستهای برای آشکار ساختن ویژگیهای مایع فرمی دوبعدی وجود داشته است. این نتایج تجربی عدم وجود یک سیستم دوبعدی خودمقید[۲۶] را نشان میدهد. محاسبات نظری در مورد سیستم دوبعدی و فیلمهای در مقایسه با کارهای انجام شده روی کمیابتر است. علاوه براین، در برخورد با یک سیستم به شدت همبسته مانند هلیم، آمار فرمی باید درنظر گرفته شود.
فیلمهای نازک ، مانند بالک، در دماهای پایین میتوانند ابرسیال شوند[۴۴و۴۵] اما فیلمهای روی زیرلایه شکلی از رفتار ابرسیالی را نشان می دهند که هنوز ناشناخته است و مکانیسم متفاوتی برای این قبیل رفتارها پیش بینی شده است [۴۶].
میلر[۲۷] و نوسانو[۲۸] گذار فاز مایع به گاز را در سیستمهای کوانتومی دوبعدی (فرمیونی و بوزونی) در دمای صفر با روش وردشی مقید مورد بررسی قرار دادند [۴۱]. نتایج آنها نشان داد که بوزونها دستخوش یک گذار فاز مرتبه دوم هستند، درحالیکه فرمیونها یک گذار فاز مرتبه اول در ناحیهای که فازهای مایع و گاز میتوانند همزمان وجود داشته باشند، دارند. آنها این رفتار را بدین صورت توجیه کردند که وجود یک جمله انرژی جنبشی اضافی ناشی از دریای فرمی و همبستگیهای آماری که باعث می شود انرژی جنبشی همبستگی و انرژی پتانسیل برای فرمیونها نسبت به بوزونها تغییر کند، موجب می شود که فرمیونها گذار متفاوتی نسبت به بوزونها داشته باشند.
برامی[۲۹] و همکارانش [۴۲]، با بهره گرفتن از محاسبات وردشی مونت کارلو[۳۰] وجود فاز مایع در یک لایه جذب شده روی گرافیت را بررسی کردند. آنها پتانسیل بین اتمهای هلیم-هلیم بصورت پتانسیل عزیز و بین اتمهای هلیم-کربن را بصورت زیر در نظر گرفتند،
که
و با در نظر گرفتن عدم جایگزیدگی اتمهای هلیم در جهت عمود برسطح به این نتیجه رسیدند که فاز سیالی یکنواخت نسبت به سیال خودمقید در دمای صفر ناپایدار است. نواکو[۳۱] و کمبل[۳۲] نیز با در نظر گرفتن برهمکنش بین اتمهای لایه و زیرلایه به نتیجه مشابهی دست یافتند [۴۰].
معادله حالت دوبعدی در دمای صفر با بهره گرفتن از روش مونت کارلو محاسبه شده است [۴۳]. نتایج این محاسبات در شکل (۲-۲) آورده شده است. این نتایج نشان میدهد که نمودار انرژی کل بر ذره دوبعدی با پتانسیل لنارد- جونز هیچ مینیممی ندارد و انرژی همواره مثبت باقی میماند. یک نتیجه کلیدی در این کار، این است که سطح درگیر واقعی[۳۳] بوسیلهی تاًثیرات بک فلو[۳۴] داده می شود. در یک فیلم همبستگیهای دوجسمی تماماً در یک سطح تخت اتفاق میافتد. علاوه براین سهم همبستگیهای ذره - زیرلایه که عمود بر سطح زیرلایه هستند تاًثیر کمی روی تابع موج بک فلو دارد. بنابراین آمار فرمی یک فیلم نازک مطمئناً می تواند بصورت یک هندسهی دوبعدی ایدهآل بررسی شود.
شکل (۲- ۲): نتایج محاسبات مونت- کارلو برای انرژی کل بر ذره بر حسب چگالی [۴۳].
از کارهای تجربی انجام شده روی دوبعدی اندازه گیری ظرفیت گرمایی و پذیرفتاری مغناطیسی آن است. به عنوان مثال هو[۳۵] و هالوک[۳۶] ظرفیت گرمایی در فیلمهای مخلوط اندازه گیری کردند [۳۷] و نشان دادند که برای ضخامتهای کمتر از ۰٫۱ لایه، مانند گاز بولتزمن دوبعدی رفتار می کند. وقتی ضخامت در محدوده ۰٫۵۵-۰٫۱ لایه است، مانند یک مایع فرمی شبه دوبعدی با جرم موًثر در دمای ۱۰۰ میلی کلوین رفتار می کند. (شکل (۲-۳))
شکل (۲-۳): نتایج تجربی اندازه گیری بر حسب ضخامت در دمای [۳۷].
گریوال[۳۷] گرمای ویژه جذب شده روی گرافیت وقتی ضخامت هلیم از یک تا پنج لایه کامل می شود، در محدوده دمایی تا اندازه گیری کرد [۳۸]. پیشرفت اتمها تا دومین، سومین و چهارمین لایه بوضوح قابل مشاهده است. نتایج مربوط به دومین لایه نشان میدهد که جرم موًثر شبه ذرات در توافق خوبی با نتایج مربوط به لایه اول است و محدوده آنها از یک تا پنج برابر جرم ذرات است. در پیشروی از لایه قبلی به سومین لایه، لایه دوم دستخوش یک گذار فاز مرتبه اول می شود. با مقایسه با دیاگرام فاز لایه اول، فاز جامد جدیدی در دومین لایه پیشنهاد شده است. فاز ثبت شده تیزی بزرگ غیر متعارفی در دمای در ظرفیت گرمایی نشان میدهد. وقتی ضخامت لایه افزایش مییابد، این ماکزیمم در باقی میماند اما دامنه آن بصورت ناگهانی افزایش مییابد درحالیکه وابستگی دمایی بالای این ماکزیمم از تا تغییر می کند. این رفتار غیرعادی در چگالی (جایی که پیشرفت اتمها تا چهارمین لایه اتفاق میافتد) به مقدار بزرگتری میرسد. این نتایج در شکل (۲-۴) نشان داده شده است.
شکل (۲-۴): ظرفیت گرمایی بصورت تابعی از ضخامت [۳۸] و مقایسه آن با نتایج مرجع [۳۹].
مرهارد[۳۸] و همکارانش پذیرفتاری مغناطیسی دومین لایه جذب شده روی گرافیت اندازه گیری کردند [۳۴]. اولین لایه جذب شده در چگالی بالا یک ساختار جامد سه وجهی دارد. پذیرفتاری مغناطیسی در محدوده دمایی اندازه گیری شده از قانون کوری پیروی می کند. این لایهی جامد بعنوان یک زیرلایه برای جذب لایه دوم عمل می کند. دومین لایه بصورت مایع است. در دماهای خیلی کم پذیرفتاری مغناطیسی مایع نسبتاً کوچک و ثابت است. برای پذیرفتاری مغناطیسی از قانون کوری پیروی می کند. این رفتار در شکل (۲-۵) بوضوح قابل مشاهده است.
شکل (۲-۵): نتایج تجربی اندازه گیری پذیرفتازی مغناطیسی بر حسب دما برای فیلمهای جذب شده روی گرافیت در چندین ضخامت بعد از یک تک لایه کامل [۳۴].
فصل سوم
مروری بر روشهای بسذرهای در محاسبات شارههای کوانتومی
۳-۱- مقدمه
روشهای مطالعه دستگاههای بسذرهای بطور کلی به دو دستهی روشهای اختلالی و روشهای وردشی تقسیم میشوند که برتری روشهای وردشی در عدم محدودیت چگالی دستگاه مورد بررسی میباشد. در این فصل به مطالعه بعضی از روشهای بسذرهای که در محاسبات شارههای کوانتومی بهکار میرود خواهیم پرداخت.
۳-۲- روش هارتری- فوک[۳۹]
در این روش تابع موج کل دستگاه به صورت زیر است،
(۳-۱)
که در معادله شرودینگر زیر صدق می کند،
(۳-۲)
هامیلتونی H عبارت است از،
(۳-۳)
در رابطه (۳-۱)، ها که در آن است، توابع موج یک دستگاه آزمایشی میباشند که هامیلتونی آن به صورت رابطه زیر در نظر گرفته می شود،
(۳-۴)
که در آن ، هامیلتونی تک ذرهای است. حال انرژی دستگاه
(۳-۵)
را با توجه به قید بهنجارش زیر برای ، بهدست میآوریم،
(۳-۶)
با توجه به معادله (۳-۳) مقدار چشمداشتی هامیلتونی عبارت است از،
(۳-۷)